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供應商	廣東佳訊電子有限責任公司店鋪
認證
報價	面議
關鍵詞	LOWVF肖特基二極管
所在地	廣東省東莞市萬江街道油新大路8號139室

產品詳細介紹

SBD具有開關頻率高和正向壓降低等優點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不60V，高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關電源（SMPS）和功率因數校正（PFC）電路中功率開關器件的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超快速恢復二極管（UFRD）。UFRD的反向恢復時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關為100kHz的SMPS，由于UFRD的導通損耗和開關損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發展趨勢。因此，發展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關注的熱點。近幾年，SBD已取得了突破性的進展，150V和200V的高壓SBD已經上市，使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功，從而為其應用注入了新的生機與活力。

肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。

肖特基整流管的結構原理與PN結整流管有很大的區別通常將PN結整流管稱作結整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數的一致性。

肖特基二極管，也被稱為肖特基勢壘二極管或熱載流子二極管，是一種利用金屬與半導體接觸形成的具有整流特性的器件。與傳統的PN結二極管相比，肖特基二極管具有更低的正向壓降和更快的開關速度，使其在高頻、低功耗領域具有廣泛的應用前景。

肖特基二極管是一種半導體電子器件，由一個金屬和一個半導體P型材料組成。與普通二極管不同，它的正向壓降較小，反向漏電流極低。它通常用于高頻電路、開關電源、電壓穩壓器等電子設備中。
LOW VF肖特基二極管在微波通信電路中用作整流二極管和小信號檢測二極管。它常用于通信電源、變頻器等。一個典型的應用是，在雙極晶體管BJT的開關電路中，LOW VF肖特基二極管連接到BJT箝位電路，使得晶體管在導通狀態時實際上處于非常關斷的狀態，從而提高晶體管的開關速度。該方法適用于典型數字集成電路的TTL內部電路，如74LS、74ALS和74AS。