超大場景顯示 顯示條件：多張發(fā)射卡支持的任意幅度超寬、超大LED顯示屏； 信號情況：多路DVI或者RGB、VGA、視頻信號、HDSDI信號（選配）。 實現(xiàn)功能：選擇其中一路在超大分辨率LED屏體上顯示。根據(jù)用戶的需求，可以采用不同的顯示模式，具體為： A．滿屏模式 輸入的信號通過 LED圖像拼接處理器，在整個LED屏體上滿屏顯示。 如果LED拼接的顯示比例與輸入信號的比例不一致時，畫面將出現(xiàn)自動拉伸或者壓縮等變形。該模式往往應用于背景影像內容的顯示； B．等比模式 輸入的信號通過 LED圖像拼接處理器時，根據(jù)輸入信號的比例格式，等比例在整個LED屏體上。畫面等比顯示時， LED屏體的上下或者左右會因為沒有內容顯示而曾現(xiàn)黑色。該模式往往應用于人像顯示或者領導講話的場景內容。 C．全屏等比模式 輸入的信號通過LED圖像拼接處理器時，根據(jù)輸入信號的比例以及屏體的顯示點陣分布情況，將輸入的內容采用像素抓取技術，截取與LED屏體比例一致的顯示，在整個LED屏體上放大顯示。該模式應用于對現(xiàn)場情景需要展現(xiàn)的內容；

50年前人們已經了解半導體材料可產生光線的基本知識，個商用二極管產生于1960年。LED是英文LightEmittingDiode（發(fā)光二極管）的縮寫，它的基本結構是一塊電致發(fā)光的半導體材料，置于一個有引線的架子上，然后四周用環(huán)氧樹脂密封，起到保護內部芯線的作用，所以LED的抗震性能好。

改變電流可以變色，發(fā)光二極管方便地通過化學修飾方法，調整材料的能帶結構和帶隙，實現(xiàn)紅黃綠藍橙多色發(fā)光。如小電流時為紅色的LED，隨著電流的增加，可以依次變?yōu)槌壬S色，后為綠色。

早應用半導體P-N結發(fā)光原理制成的LED光源問世于20世紀60年代初。當時所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光（λp=650nm），在驅動電流為20 毫安時，光通量只有千分之幾個流明，相應的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED產生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。

GaN芯片發(fā)藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹脂薄層，約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍光部分被熒光粉吸收，另一部分藍光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到得白光。現(xiàn)在，對于InGaN/YAG白色LED，通過改變YAG 熒光粉的化學組成和調節(jié)熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。

表一列出了目前白色LED的種類及其發(fā)光原理。從表中也可以看出某些種類的白色LED光源離不開四種熒光粉：即三基色稀土紅、綠、藍粉和石榴石結構的黃色粉，在未來較被看好的是三波長光，即以無機紫外光晶片加R.G.B三顏色熒光粉，用于封裝LED白光，預計三波長白光LED有商品化的機機會。但此處三基色熒光粉的粒度要求比較小，穩(wěn)定性要求也高，具體應用方面還在探索之中。