TSV 互連具有縮短路徑和更薄的封裝尺?等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是三維集成的核
術(shù)。 TSV 結(jié)構(gòu)如下圖所示，在硅板上面有加?完成的通孔;在通孔內(nèi)由內(nèi)到外
依次為電鍍銅柱、絕緣層和阻擋層。絕緣層的作用是將硅板和填充的導(dǎo)電 材料
之間進(jìn)?隔離絕緣，材料通常選用?氧化硅。由于銅原?在 TSV 制 造?藝流
程中可能會穿透?氧化硅絕緣層，導(dǎo)致封裝器件產(chǎn)品性能的下降 甚?失效，?
般用化學(xué)穩(wěn)定性較?的?屬材料在電鍍銅和絕緣層之間加? 阻擋層。后是用
于信號導(dǎo)通的電鍍銅。
TSV制作流程會涉及到深刻蝕、PVD、CVD、銅填充、微凸點(diǎn)及RDL電 鍍、清
洗、減薄、鍵合等??余種設(shè)備，其中通孔制作、絕緣層/阻擋層/ 種?層的沉
積、銅填充、晶圓減薄、晶圓鍵合等?序涉及的設(shè)備為關(guān) 鍵，在某種程度上
直接決定了TSV的性能指標(biāo)。
電鍍銅填充設(shè)備
很多成本模型顯示，TSV填充?藝是整個?藝流程中昂貴的步驟之?。 TSV
的主要成品率損耗之?是未填滿的空洞。電鍍銅?藝作為合適的硅 通孔填充
技術(shù)受到業(yè)內(nèi)的普遍關(guān)注，其關(guān)鍵技術(shù)在于TSV?深寬比(通常 ?于10:1)通孔的
全填充電鍍技術(shù)。
封裝之TSV及TGV技術(shù)初探
其中，玻璃誘導(dǎo)刻蝕法如下:
1) 使用皮秒激光在玻璃上產(chǎn)?變性區(qū)域;2)將激光處理過的玻璃放在 氫氟酸溶液
中進(jìn)?刻蝕。
玻璃通孔?密度布線
線路轉(zhuǎn)移(CTT)和光敏介質(zhì)嵌?法，是比較常用的?式。 CTT主要 包括兩個過
程。?是精細(xì)RDL線預(yù)制，每?RDL層可以在可移動載體上單 制造?層薄導(dǎo)
電層，并在轉(zhuǎn)移到基板上之前測試或檢查細(xì)線成品率。精 細(xì)線路的形成采用細(xì)
線光刻和電解鍍銅的?法，并且以薄銅箔作為鍍層的 種?層
基于玻璃通孔的MEMS封裝
2013年，LEE等利用玻璃穿孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)射頻MEMS器件的晶圓級封裝， 采用電
鍍?案實(shí)現(xiàn)通孔的完全填充，通過該?案制作的射頻MEMS器件在 20GHz時(shí)具
有0.197dB的低插?損耗和20.032dB的?返回?fù)p耗。2018年， LAAKSO等創(chuàng)造性
地使用磁輔助組裝的?式來填充玻璃通孔，并用于 MEMS器件的封裝中。