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10V45 臺灣 ASEMI 品牌貼片肖特基二極管 型號： 10V45 品牌： ASEMI 封裝： TO-277 特性：超低壓降、貼片小封裝 ★電性參數(shù)： 10A 45V ★芯片材質(zhì)： Mikron ..03月27日 -
1000.00元回收庫存肖特基二極管 經(jīng)營范圍：工廠生產(chǎn)性廢品廢料廢金屬及其他廢舊物資（憑有效許可證經(jīng)營）：一、廢金屬回收：磷銅、紅銅、白銅、青銅(62#、65#)、黃銅、漆包線銅、銅屑、鋁、不銹鋼..05月11日
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SiC MOSFET 的比導通電阻很低，工作頻率很高，在高溫下能夠穩(wěn)定的工作，它在功率器件領(lǐng)域很有應(yīng)用前景。目前國際上報道的幾種結(jié)構(gòu)：UMOS、VDMOS、LDMOS、UMOS ACCUFET，以及 SIAFET 等。2008 ..05月10日
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肖特基二極管，一種與傳統(tǒng)PN結(jié)二極管不同的電子元件，借助金屬和半導體之間的勢壘效應(yīng)產(chǎn)生整流效果。在電子學中，這種接觸被稱為“金屬半導體結(jié)”，簡稱肖特基勢壘二極管，通常被稱為肖特基二極..05月10日
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肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節(jié)省貴金..05月10日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件，不存在少數(shù)載..05月10日
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肖特基二極管是由PN結(jié)和金屬接觸界面組成的特殊二極管，具有以下特點： 正向電壓下具有極低的正向壓降（僅為0.2V左右），因此具有快速開關(guān)特性，被廣泛應(yīng)用于高頻電路中。 反向電流大，但有..05月10日
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肖特基二極管在電路中有著廣泛的應(yīng)用，包括但不限于整流、續(xù)流、保護和小信號檢波等功能。它特別適用于低電壓、大電流的電路，如驅(qū)動器、開關(guān)電源、變頻器和逆變器等。這些領(lǐng)域中，肖特基二極..05月10日
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SBD 在導通過程中沒有額外載流子的注入和儲存，因而反向恢復電流小，關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗小。傳統(tǒng)的硅肖特基二極管，由于所有金屬與硅的功函數(shù)差都不很大，硅的肖特基勢壘較低，硅 SBD 的..05月10日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件，不存在少數(shù)載..05月10日
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國內(nèi)的SiC功率器件研究方面因為受到 SiC 單晶材料和外延設(shè)備的限制起步比較晚，但是卻緊緊跟蹤國外碳化硅器件的發(fā)展形勢。國家十分重視碳化硅材料及其器件的研究， 在國家的大力支持下經(jīng)已經(jīng)..05月10日
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對于點接觸型肖特基二極管，它在微波通信電路方面具有重要地位。此外，鋁硅肖特基二極管在高頻電路中扮演著檢波和鑒頻的角色，取代了傳統(tǒng)的檢波二極管。需要注意的是，肖特基二極管的反向耐壓..05月10日
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面議SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件，不存在少數(shù)載..05月10日
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SiC PiN 的擊穿電壓很高，開關(guān)速度很快，重量很輕，并且體積很小，它在 3KV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域更加具有優(yōu)勢。2000年Cree公司研制出19.5 KV的臺面PiN二極管，同一時期日本的 Sugawara 研究室..05月10日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件，不存在少數(shù)載..05月10日
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SiC 肖特基勢壘二極管在 1985 年問世，是 Yoshida 制作在 3C-SiC 上的，它的肖特基勢壘高度用電容測量是 1.15 (±0.15) eV，用光響應(yīng)測量是 1.11 (±0.03) eV，它的擊穿電壓只有8 V，第一只6H-S..05月10日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件，不存在少數(shù)載..05月10日
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肖特基二極管結(jié)構(gòu)肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N..05月10日
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SBD 在導通過程中沒有額外載流子的注入和儲存，因而反向恢復電流小，關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗小。傳統(tǒng)的硅肖特基二極管，由于所有金屬與硅的功函數(shù)差都不很大，硅的肖特基勢壘較低，硅 SBD 的..05月10日
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肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節(jié)省貴金..05月10日
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