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對于一般照明而言，人們更需要白色的光源。1998年發(fā)白光的LED開發(fā)成功。這種LED是將GaN芯片和釔鋁石榴石（YAG）封裝在一起做成。GaN芯片發(fā)藍(lán)光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色光射，峰值550nLED燈m。藍(lán)光LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹脂薄層，約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍(lán)光部分被熒光粉吸收，另一部分藍(lán)光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到白光。
降低線路損耗，對電網(wǎng)。功率因數(shù)≥0.9，諧波失真≤20%，EMI符合全球指標(biāo)，降低了供電線路的電能損耗和避免了對電網(wǎng)的高頻干擾污染。
高新技術(shù)：與傳統(tǒng)光源的發(fā)光效果相比，LED光源是低壓微電子產(chǎn)品，成功地融合了計(jì)算機(jī)技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)、圖像處理技術(shù)和嵌入式控制技術(shù)等。傳統(tǒng)LED燈中使用的芯片尺寸為0.25mmX0.25nm，而照明用LED的尺寸一般都要在1.0mmX1.0mm以上。LED裸片成型的工作臺(tái)式結(jié)構(gòu)、倒金字塔結(jié)構(gòu)和倒裝芯片設(shè)計(jì)能夠改善其發(fā)光效率，從而發(fā)出更多的光。LED封裝設(shè)計(jì)方面的包括高傳導(dǎo)率金屬塊基底、倒裝芯片設(shè)計(jì)和裸盤澆鑄式引線框等，采用這些方法都能設(shè)計(jì)出高功率、低熱阻的器件，而且這些器件的照度比傳統(tǒng)LED產(chǎn)品的照度更大。
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